Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RJK03M3DPA-00#J5A
RJK03M3DPA-00#J5A

RJK03M3DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation

rjk03m3dpa-datasheet?language=en Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK03M3DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Supplier Device Package: 8-WPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK03M3DPA-00#J5A за ціною від 53.71 грн до 183.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK03M3DPA-00#J5A RJK03M3DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk03m3dpa-datasheet?language=en Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.39 грн
10+113.30 грн
100+77.49 грн
500+58.33 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M3DPA-00-J5A Виробник : RENESAS QFN
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M3DPA-00#J5A RJK03M3DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics RNCCS13147_1-2574890.pdf MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.