RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 33.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RJK03M5DNS-00#J5 за ціною від 29.40 грн до 128.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK03M5DNS-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3 |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJK03M5DNS-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 9786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|