RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 33.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK03M5DNS-00#J5 за ціною від 31.70 грн до 130.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK03M5DNS-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8 |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJK03M5DNS-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V |
на замовлення 9786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|