Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RJK03M5DNS-00#J5
RJK03M5DNS-00#J5

RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation

rjk03m5dns-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RJK03M5DNS-00#J5 за ціною від 32.48 грн до 127.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJK03M5DNS-00#J5 RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation rjk03m5dns-datasheet Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.08 грн
10+77.61 грн
100+52.06 грн
500+38.58 грн
1000+35.27 грн
2000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DNS-00#J5 RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics rjk03m5dns-datasheet MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DNS-00#J5 rjk03m5dns-datasheet
RJK03M5DNS-00#J5
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.08 грн
10+77.61 грн
100+52.06 грн
500+38.58 грн
1000+35.27 грн
2000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DNS-00#J5 rjk03m5dns-datasheet
RJK03M5DNS-00#J5
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.