RJK0452DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.25 грн |
| 10+ | 159.09 грн |
| 100+ | 110.68 грн |
| 500+ | 84.44 грн |
| 1000+ | 78.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0452DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK0452DPB-00#J5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK0452DPB-00-J5 | Виробник : Renesas |
RJK0452DPB-00-J5 RJK0452 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
RJK0452DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
RJK0452DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs NOT AVALIBLE THROUGH MOUSER |
товару немає в наявності |