Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RJK0455DPB-00#J5
RJK0455DPB-00#J5

RJK0455DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation

rjk0455dpb-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0455DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK0455DPB-00#J5 за ціною від 83.12 грн до 193.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0455DPB-00#J5 RJK0455DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0455dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.38 грн
10+155.03 грн
100+123.36 грн
500+97.96 грн
1000+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0455DPB-00#J5 Виробник : Renesas rjk0455dpb-datasheet LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0455
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0455DPB-00#J5 RJK0455DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics r07ds1050ej0300_rjk0455dpb-1093255.pdf MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.