RJK0601DPN-E0#T2 Renesas
Виробник: Renesas
Description: RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 250.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
85 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0601DPN-E0#T2 Renesas
Description: RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220ABS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK0601DPN-E0#T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK0601DPN-E0#T2 | Renesas Electronics |
MOSFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RJK0601DPN-E0#T2 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET Power MOSFET
MOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.