RJK0651DPB-00#J5

RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation


rjk0651dpb-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.42 грн
5000+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RJK0651DPB-00#J5 за ціною від 52.29 грн до 133.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0651DPB-00#J5 RJK0651DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0651dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
на замовлення 17200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.44 грн
10+75.53 грн
100+64.23 грн
500+58.57 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5 RJK0651DPB-00#J5 Виробник : RENESAS RNCCS16918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.08 грн
10+91.39 грн
100+73.85 грн
500+61.08 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5 RJK0651DPB-00#J5 Виробник : RENESAS RNCCS16918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.08 грн
10+91.39 грн
100+73.85 грн
500+61.08 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5 RJK0651DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0076ej0200_rjk0651dpb_DST_20130409-1999224.pdf MOSFETs JET Series MOSFET 60V LFPAK Pb-F HF
на замовлення 218295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.43 грн
10+94.53 грн
100+65.54 грн
250+65.39 грн
500+58.35 грн
1000+54.09 грн
2500+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5 RJK0651DPB-00#J5 Виробник : Renesas 523r07ds0076ej0200_rjk0651dpb.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+133.43 грн
100+127.47 грн
250+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5 Виробник : Renesas rjk0651dpb-datasheet LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.