Продукція > RENESAS > RJK0652DPB-00#J5
RJK0652DPB-00#J5

RJK0652DPB-00#J5 RENESAS

4015010.pdf Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.25 грн
500+97.61 грн
1000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0652DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RJK0652DPB-00#J5 за ціною від 79.23 грн до 142.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0652DPB-00#J5 RJK0652DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics rnccs16919_1-2291113.pdf MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.21 грн
10+115.65 грн
100+92.19 грн
500+90.66 грн
1000+83.80 грн
2500+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5 RJK0652DPB-00#J5 Виробник : RENESAS 4015010.pdf Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.73 грн
10+123.07 грн
100+110.25 грн
500+97.61 грн
1000+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5 RJK0652DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America Inc rjk0652dpb-datasheet?language=en&r=1342466 Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.