Продукція > RENESAS > RJK0652DPB-00#J5
RJK0652DPB-00#J5

RJK0652DPB-00#J5 RENESAS

4015010.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0652DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 55W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції RJK0652DPB-00#J5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJK0652DPB-00#J5 RJK0652DPB-00#J5 Renesas Electronics rnccs16919_1-2291113.pdf MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5 RJK0652DPB-00#J5 RENESAS 4015010.pdf Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5 rnccs16919_1-2291113.pdf
RJK0652DPB-00#J5
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5 4015010.pdf
RJK0652DPB-00#J5
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.