Продукція > RENESAS > RJK0655DPB-00#J5
RJK0655DPB-00#J5

RJK0655DPB-00#J5 RENESAS

1706841.pdf Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.96 грн
10+162.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0655DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RJK0655DPB-00#J5 за ціною від 83.13 грн до 213.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1053ej0200_rjk0655dpb_DST_20130409-2931033.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 11411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.72 грн
10+175.13 грн
100+122.12 грн
250+112.56 грн
500+102.26 грн
1000+86.81 грн
2500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : RENESAS 1706841.pdf Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.