Продукція > RENESAS > RJK0655DPB-00#J5
RJK0655DPB-00#J5

RJK0655DPB-00#J5 RENESAS

1706841.pdf Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.38 грн
10+158.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0655DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RJK0655DPB-00#J5 за ціною від 84.72 грн до 165.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1053ej0200_rjk0655dpb_DST_20130409-2931033.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 7831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.03 грн
100+161.80 грн
2500+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : RENESAS 1706841.pdf Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.