RJK0656DPB-00#J5

RJK0656DPB-00#J5 Renesas Electronics


REN_r07ds1054ej0200_rjk0656dpb_DST_20130409-2930992.pdf
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 13643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.55 грн
10+111.37 грн
100+90.57 грн
500+87.79 грн
1000+84.30 грн
2500+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0656DPB-00#J5 Renesas Electronics

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LFPAK, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RJK0656DPB-00#J5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0656dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0656dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.