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Технічний опис RJK0656DPB-00#J5 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RJK0656DPB-00#J5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RJK0656DPB-00#J5 | RENESAS |
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на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RJK0656DPB-00#J5 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RJK0656DPB-00#J5 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RJK0656DPB-00#J5 |
![]() |
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




