RJK0853DPB-00#J5

RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation


rjk0853dpb-datasheet?r=1342566 Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.008 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RJK0853DPB-00#J5 за ціною від 89.62 грн до 238.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0853DPB-00#J5 RJK0853DPB-00#J5 Виробник : RENESAS 4015007.pdf Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.008 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.67 грн
500+103.97 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5 RJK0853DPB-00#J5 Виробник : RENESAS 4015007.pdf Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.008 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.41 грн
10+174.54 грн
100+136.67 грн
500+103.97 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5 RJK0853DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0853dpb-datasheet?r=1342566 Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.26 грн
10+164.98 грн
100+126.88 грн
500+97.35 грн
1000+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5 RJK0853DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics RNCCS16923_1-2574860.pdf MOSFETs JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 9389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.03 грн
10+178.08 грн
25+150.45 грн
100+121.10 грн
250+118.16 грн
500+99.81 грн
1000+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.