Продукція > RENESAS > RJK0855DPB-00#J5
RJK0855DPB-00#J5

RJK0855DPB-00#J5 RENESAS

RNCCS16952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+222.60 грн
10+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0855DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RJK0855DPB-00#J5 за ціною від 159.11 грн до 222.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 RENESAS RNCCS16952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.60 грн
10+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Renesas Electronics America r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Renesas Electronics America r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Renesas Electronics REN_r07ds1056ej0200_rjk0855dpb_DST_20130411-2931119.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 80V 30A 11mohm LFPAK56
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RNCCS16952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RJK0855DPB-00#J5
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+222.60 грн
10+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf
RJK0855DPB-00#J5
Виробник: Renesas Electronics America
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf
RJK0855DPB-00#J5
Виробник: Renesas Electronics America
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 REN_r07ds1056ej0200_rjk0855dpb_DST_20130411-2931119.pdf
RJK0855DPB-00#J5
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 80V 30A 11mohm LFPAK56
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.