RJK0855DPB-00#J5 Renesas Electronics
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.83 грн |
| 1000+ | 87.68 грн |
| 2500+ | 74.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0855DPB-00#J5 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RJK0855DPB-00#J5 за ціною від 99.08 грн до 99.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK0855DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RJK0855DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RJK0855DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
|
|
RJK0855DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
|
|
RJK0855DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK |
товару немає в наявності |