Продукція > RENESAS > RJK0855DPB-00#J5
RJK0855DPB-00#J5

RJK0855DPB-00#J5 RENESAS

RNCCS16952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0082 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0855DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0082 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RJK0855DPB-00#J5 за ціною від 78.53 грн до 147.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Виробник : RENESAS RNCCS16952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0082 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1056ej0200_rjk0855dpb_DST_20130411-2931119.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.27 грн
10+139.26 грн
100+118.16 грн
250+112.29 грн
500+107.88 грн
1000+99.08 грн
2500+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5 RJK0855DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1056ej0200_rjk0855dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.