RJK1054DPB-00#J5

RJK1054DPB-00#J5 Renesas Electronics America Inc


rjk1054dpb-datasheet
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK1054DPB-00#J5 Renesas Electronics America Inc

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RJK1054DPB-00#J5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK1054DPB-00#J5 RJK1054DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America Inc rjk1054dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1054DPB-00#J5 RJK1054DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics rnccs16929_1-2291221.pdf MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.