на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.90 грн |
| 10+ | 185.68 грн |
| 100+ | 128.43 грн |
| 250+ | 123.30 грн |
| 500+ | 107.88 грн |
| 1000+ | 92.47 грн |
| 2500+ | 85.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK1055DPB-00#J5 Renesas Electronics
Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK1055DPB-00#J5 за ціною від 85.32 грн до 273.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK1055DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V |
на замовлення 7335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RJK1055DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |