RJK1055DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 266.57 грн |
| 10+ | 168.05 грн |
| 100+ | 117.33 грн |
| 500+ | 89.80 грн |
| 1000+ | 83.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK1055DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK1055DPB-00#J5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK1055DPB-00#J5 | Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 23A 17mohm LFPAK56 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJK1055DPB-00#J5 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 23A 17mohm LFPAK56
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 23A 17mohm LFPAK56
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)