RJK1535DPE-LE Renesas Electronics Corporation


RNCCS04043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
на замовлення 7899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+238.61 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK1535DPE-LE Renesas Electronics Corporation

Description: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-83, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LDPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK1535DPE-LE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK1535DPE-LE Виробник : RENESAS RNCCS04043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO263/2.5
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.