RJK2075DPA-00#J5A

RJK2075DPA-00#J5A Renesas Electronics


RNCCS12752_1-2524997.pdf Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs MOSFET
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.62 грн
10+184.84 грн
25+151.19 грн
100+129.90 грн
250+122.56 грн
500+115.22 грн
1000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK2075DPA-00#J5A Renesas Electronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK2075DPA-00#J5A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK2075DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk2075dpa-data-sheet Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK2075DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk2075dpa-data-sheet Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.