Продукція > RENESAS > RJK5014DPP-E0#T2
RJK5014DPP-E0#T2

RJK5014DPP-E0#T2 Renesas


rej03g1530_rjk5014dppds.pdf
Виробник: Renesas
Description: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+392.29 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK5014DPP-E0#T2 Renesas

Description: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції RJK5014DPP-E0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK5014DPP-E0#T2 RJK5014DPP-E0#T2 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk5014dpp-e0-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5014DPP-E0#T2 RJK5014DPP-E0#T2 Виробник : Renesas Electronics r07ds0607ej0100_rjk5014dpp-1093121.pdf MOSFET MOSFET - 500V, 19A, TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.