Продукція > RENESAS > RJK5015DPK-00#T0

RJK5015DPK-00#T0 Renesas


rjk5015dpk-datasheet?language=en Виробник: Renesas
TO3P/NCH, VDSS 500V, ID(DC)25A,RDS(ON)MAX 0.24OHM RJK5015
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK5015DPK-00#T0 Renesas

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Ta), Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK5015DPK-00#T0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK5015DPK-00#T0 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk5015dpk-datasheet?language=en Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Ta)
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPK-00#T0 RJK5015DPK-00#T0 Виробник : Renesas Electronics rnccs04050_1-2291301.pdf MOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.