Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK5015DPM-00#T1 | Renesas Electronics Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFMPower Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PFM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RJK5015DPM-00#T1 | Renesas Electronics |
MOSFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. |
| RJK5015DPM-00#T1 |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PFM
Description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PFM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RJK5015DPM-00#T1 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET Power MOSFET
MOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.