RJK5030DPP-M0#T2

RJK5030DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation


rjk5030dpp-m0-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.26 грн
25+95.10 грн
100+78.24 грн
500+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK5030DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc), Supplier Device Package: TO-220FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK5030DPP-M0#T2 за ціною від 73.02 грн до 137.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK5030DPP-M0#T2 RJK5030DPP-M0#T2 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0227ej_rjk5030dpp_DST_20101214-2931158.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.00 грн
10+108.88 грн
100+77.06 грн
500+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.