
RJK5035DPP-A0#T2 Renesas Electronics
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.91 грн |
10+ | 195.81 грн |
25+ | 132.84 грн |
100+ | 107.88 грн |
250+ | 107.15 грн |
500+ | 97.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK5035DPP-A0#T2 Renesas Electronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Ta), Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RJK5035DPP-A0#T2 за ціною від 88.93 грн до 247.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RJK5035DPP-A0#T2 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Ta) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|