RJK6002DPD-00-J2
Виробник:
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK6002DPD-00-J2
Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Supplier Device Package: MP-3A, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RJK6002DPD-00-J2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK6002DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Supplier Device Package: MP-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RJK6002DPD-00#J2 | Renesas Electronics |
MOSFET GENERIC Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RJK6002DPD-00#J2 |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RJK6002DPD-00#J2 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET GENERIC Transistor
MOSFET GENERIC Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.