Продукція > RJK

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK-ST11L
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK002N06
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK004N03T146
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03ROHM10+ROHS SMT3
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146ROHMDescription: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.11 грн
500+10.02 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
18+18.66 грн
100+7.66 грн
1000+5.94 грн
3000+5.11 грн
9000+4.35 грн
24000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146ROHMDescription: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.67 грн
46+17.64 грн
100+11.11 грн
500+10.02 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03T146ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 500MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 16238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
18+17.43 грн
100+11.78 грн
500+8.57 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03T146
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+6.53 грн
9000+6.23 грн
15000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0202DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0204
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0204DPA
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0204DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0204DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 50A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0204DPA-00-J53
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0206
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0206DPA
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0206DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 70A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0208
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0208DPA
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0208DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 65A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0208DPA-00-J5A
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0210
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0210DPA
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0210DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0211
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0211DPA
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0211DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Supplier Device Package: WPAK(3)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0212DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH WPAK
Supplier Device Package: WPAK(3)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0214DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/45A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0214DPA-00-J53
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0215DPA-00#J53Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/40A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0216DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 10W, 20W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0222DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8W, 10W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0223DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0225DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0225DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0225DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0226DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0226DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0226DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0226DNS-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0230DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A/50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-WPAK-D
Part Status: Active
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0230DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+122.03 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0236DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-00#J0Renesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-00#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 19786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-00#JO
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-00-J0RenesasLFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0301
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-02#J0Renesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-02#J0California Eastern LaboratoriesPOWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-E-L
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-OO-J0
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-WS#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPB-WS#J0Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0301DPC
на замовлення 8622 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0302DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0302DPB-00#J0Renesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0302DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 5-LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0302DPB-00-J0
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0302DPB-00-J0
Код товару: 142717
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPBRENESAS09+
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-00#J0RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 40A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-00#J0
на замовлення 18425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-00#J0Renesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-00-J0
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-00-JO
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-02#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPB-WS#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0303DPC-00-J0
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPB-00#J0Renesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPB-00-J0
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPB-00-JO
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPC
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0304DPC-00-J0
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00#J0Renesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00#J0RenesasLFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0305
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00#JO
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00-J0RENESAS08+ TO252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-00-JO
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-02#J0California Eastern LaboratoriesPOWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0305DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]