RJK6024DPD-00#J2 Renesas Electronics Corporation


RNCCS08331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
214+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK6024DPD-00#J2 Renesas Electronics Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc), Supplier Device Package: MP-3A, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK6024DPD-00#J2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK6024DPD-00#J2 RJK6024DPD-00#J2 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk6024dpd-datasheet?language=en Description: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6024DPD-00#J2 RJK6024DPD-00#J2 Виробник : Renesas Electronics r07ds0688ej0200_rjk6024dpd-1093145.pdf MOSFET MOSFET, 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.