RJL5014DPP-A0#T2

RJL5014DPP-A0#T2 Renesas Electronics


r07ds1436ej0100_rjl5014dppa0-2508880.pdf Виробник: Renesas Electronics
MOSFET POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.39 грн
10+ 290.25 грн
100+ 204.44 грн
500+ 181.13 грн
1000+ 143.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJL5014DPP-A0#T2 Renesas Electronics

Description: ABU / MOSFET HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJL5014DPP-A0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJL5014DPP-A0#T2 RJL5014DPP-A0#T2 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjl5014dpp-a0-datasheet Description: ABU / MOSFET HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній