RJP020N06T100

RJP020N06T100 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.59 грн
2000+23.26 грн
3000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJP020N06T100 за ціною від 17.93 грн до 112.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJP020N06T100 RJP020N06T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 14060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.12 грн
10+60.25 грн
100+41.48 грн
500+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 RJP020N06T100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N-CH 60V 2.5A
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.60 грн
10+69.68 грн
100+40.27 грн
500+31.57 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 Виробник : ROHM - Japan datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06 T100 Виробник : ROHM 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06 T100 Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.