
RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 24.59 грн |
2000+ | 23.26 грн |
3000+ | 22.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJP020N06T100 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJP020N06T100 за ціною від 17.93 грн до 112.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RJP020N06T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 14060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJP020N06T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
RJP020N06T100 | Виробник : ROHM - Japan |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RJP020N06 T100 | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
RJP020N06 T100 | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
RJP020N06T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
RJP020N06T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |