RJP020N06T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.72 грн |
| 2000+ | 24.48 грн |
| 3000+ | 23.36 грн |
| 5000+ | 20.73 грн |
| 7000+ | 20.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJP020N06T100 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJP020N06T100 за ціною від 18.44 грн до 92.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RJP020N06T100 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 8641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RJP020N06T100 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs N-CH 60V 2.5A |
на замовлення 6787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RJP020N06T100 | ROHM - Japan |
N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJP020N06 T100 | ROHM | SOT89 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJP020N06T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.99 грн |
| 10+ | 56.49 грн |
| 100+ | 37.47 грн |
| 500+ | 27.52 грн |
| RJP020N06T100 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 60V 2.5A
MOSFETs N-CH 60V 2.5A
на замовлення 6787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RJP020N06T100 |
![]() |
Виробник: ROHM - Japan
N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100
кількість в упаковці: 50 шт
N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 18.44 грн |
| RJP020N06 T100 |
Виробник: ROHM
SOT89
SOT89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


