Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RJP020N06T100
RJP020N06T100

RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.21 грн
10+66.98 грн
50+49.93 грн
100+41.70 грн
500+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Інші пропозиції RJP020N06T100 за ціною від 13.59 грн до 117.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJP020N06T100 RJP020N06T100 ROHM rjp020n06.pdf Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 RJP020N06T100 ROHM rjp020n06.pdf Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.52 грн
13+62.65 грн
25+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.79 грн
10+69.81 грн
68+14.36 грн
187+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06 T100 ROHM SOT89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 rjp020n06.pdf
RJP020N06T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 rjp020n06.pdf
RJP020N06T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.52 грн
13+62.65 грн
25+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06T100 datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+117.79 грн
10+69.81 грн
68+14.36 грн
187+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP020N06 T100
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.