Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RJP30E2DPK-M0#T0
RJP30E2DPK-M0#T0

RJP30E2DPK-M0#T0 Renesas Electronics Corporation

RNCCS18198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+519.83 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP30E2DPK-M0#T0 Renesas Electronics Corporation

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching.

Інші пропозиції RJP30E2DPK-M0#T0 за ціною від 709.20 грн до 865.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJP30E2DPK-M0#T0 Renesas RNCCS18198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+865.11 грн
100+821.50 грн
500+779.07 грн
1000+709.20 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJP30E2DPK-M0#T0 RNCCS18198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+865.11 грн
100+821.50 грн
500+779.07 грн
1000+709.20 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.