Технічний опис RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT, Packaging: Bulk, Part Status: Active.
Інші пропозиції RJP30E2DPP-M0#T2 за ціною від 617.73 грн до 865.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP30E2DPP-M0#T2 | Renesas |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
на замовлення 18811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RJP30E2DPP-M0#T2 |
![]() |
Виробник: Renesas
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
на замовлення 18811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 865.11 грн |
| 100+ | 821.50 грн |
| 500+ | 779.07 грн |
| 1000+ | 709.20 грн |
| 10000+ | 617.73 грн |



