RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 517.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
40 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT, Packaging: Bulk, Part Status: Active.
Інші пропозиції RJP30E2DPP-M0#T2 за ціною від 621.85 грн до 870.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP30E2DPP-M0#T2 | Renesas |
 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
на замовлення 18811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RJP30E2DPP-M0#T2 |
|
Виробник: Renesas
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
на замовлення 18811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 870.89 грн |
| 100+ | 826.99 грн |
| 500+ | 784.28 грн |
| 1000+ | 713.93 грн |
| 10000+ | 621.85 грн |