RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
на замовлення 18811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 547.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT, Packaging: Bulk, Part Status: Active.
Інші пропозиції RJP30E2DPP-M0#T2 за ціною від 540.59 грн до 757.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP30E2DPP-M0#T2 | Виробник : Renesas |
 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
на замовлення 18811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RJP30E2DPP-M0#T2 | Виробник : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |