RJP60D0DPP-M0#T2

RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation


rjp60d0dpp-m0-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT 600V 45A TO-220FL
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220FL
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT 600V 45A TO-220FL, Power - Max: 35 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Gate Charge: 45 nC, Test Condition: 300V, 22A, 5Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns, Supplier Device Package: TO-220FL, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RJP60D0DPP-M0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJP60D0DPP-M0#T2 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0173ej_rjp60d0dpp_DST_20110311-1999274.pdf IGBT Transistors Power Module - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.