RJP60F4DPM-00#T1

RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics Corporation


rjp60f4dpm-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO3PFM
Part Status: Active
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/70ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power - Max: 41.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.94 грн
10+303.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO3PFM, Part Status: Active, Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/70ns, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: TO-3PFM, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Power - Max: 41.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A.

Інші пропозиції RJP60F4DPM-00#T1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJP60F4DPM-00#T1 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0586ej0100_rjp60f4dpm_DST_20111125-1999346.pdf IGBT Transistors Power Module - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.