на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.26 грн |
| 10+ | 369.67 грн |
| 30+ | 272.28 грн |
| 120+ | 244.39 грн |
| 270+ | 231.18 грн |
| 510+ | 175.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJP65T43DPM-00#T1 Renesas Electronics
Description: IGBT TRENCH 650V 40A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/107ns, Switching Energy: 170µJ (on), 110µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 68.8 W.
Інші пропозиції RJP65T43DPM-00#T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJP65T43DPM-00#T1 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IGBT TRENCH 650V 40A TO3PFMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 30ns/107ns Switching Energy: 170µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 68.8 W |
товару немає в наявності |