на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.49 грн |
| 25+ | 165.42 грн |
| 100+ | 126.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP, Packaging: Tube, Package / Case: SC-94, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFP, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns, Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 72 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 63.5 W.
Інші пропозиції RJP65T54DPM-A0#T2 за ціною від 351.40 грн до 816.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJP65T54DPM-A0#T2 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFPPackaging: Tube Package / Case: SC-94 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PFP IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 63.5 W |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|