RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics Corporation


rjp65t54dpm-a0-data-sheet-650v-30a-igbt-application-partial-switching-circuit
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Power - Max: 63.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PFP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-94
Packaging: Tube
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+747.01 грн
25+439.43 грн
100+372.92 грн
500+321.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP, Power - Max: 63.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 72 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: TO-3PFP, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: SC-94, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RJP65T54DPM-A0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJP65T54DPM-A0#T2 RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics REN_r07ds1365ej0110_rjp65t54dpma0_DST_20161219-2930572.pdf IGBTs IGBT - 650V/30A/TO-3PFP
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJP65T54DPM-A0#T2 REN_r07ds1365ej0110_rjp65t54dpma0_DST_20161219-2930572.pdf
Виробник: Renesas Electronics
IGBTs IGBT - 650V/30A/TO-3PFP
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.