Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RJU002N06T106
RJU002N06T106

RJU002N06T106 Rohm Semiconductor

RJU002N06.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.95 грн
6000+6.07 грн
9000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJU002N06T106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJU002N06T106 за ціною від 7.43 грн до 31.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJU002N06T106 RJU002N06T106 Rohm Semiconductor RJU002N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.86 грн
500+8.34 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06T106 RJU002N06.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06 T106 ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06T106 RJU002N06.pdf
RJU002N06T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.86 грн
500+8.34 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06T106 RJU002N06.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06 T106
Виробник: ROHM
SOT23/SOT323
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.