Продукція > ROHM > RJU002N06FRAT106
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106 ROHM

ROHM-S-A0002952864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.42 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJU002N06FRAT106 ROHM

Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJU002N06FRAT106 за ціною від 8.04 грн до 38.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJU002N06FRAT106 RJU002N06FRAT106 Виробник : ROHM Semiconductor UMT3_T106_taping.pdf MOSFETs Nch 60V Vds 0.2A 2.2Rds(on)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.53 грн
14+26.68 грн
100+13.19 грн
500+8.87 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06FRAT106 RJU002N06FRAT106 Виробник : ROHM ROHM-S-A0002952864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.96 грн
50+28.92 грн
100+16.42 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06FRAT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR UMT3_T106_taping.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Case: UMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1Ω
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06FRAT106 RJU002N06FRAT106 Виробник : Rohm Semiconductor UMT3_T106_taping.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06FRAT106 RJU002N06FRAT106 Виробник : Rohm Semiconductor UMT3_T106_taping.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJU002N06FRAT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR UMT3_T106_taping.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Case: UMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1Ω
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.