RJU003N03FRAT106

RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.30 грн
6000+5.49 грн
9000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RJU003N03FRAT106 за ціною від 4.33 грн до 30.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Виробник : ROHM rju003n03frat106-e.pdf Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.96 грн
500+9.01 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.09 грн
18+17.11 грн
100+10.83 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
18+18.16 грн
100+10.06 грн
500+7.55 грн
1000+6.64 грн
3000+4.40 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Виробник : ROHM rju003n03frat106-e.pdf Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.25 грн
50+18.51 грн
100+11.74 грн
500+7.53 грн
1500+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.