Інші пропозиції RK7002BMHZGT116 за ціною від 2.07 грн до 17.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RK7002BMHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RK7002BMHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RK7002BMHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
RK7002BMHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| RK7002BMHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |