RK7002BMHZGT116

RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.65 грн
6000+2.28 грн
9000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RK7002BMHZGT116 за ціною від 2.90 грн до 17.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.12 грн
39+7.73 грн
100+4.81 грн
500+3.29 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Виробник : ROHM rk7002bmhzgt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.29 грн
85+9.44 грн
136+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmhzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1197+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 1197
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Виробник : ROHM rk7002bmhzgt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMHZGT116
Код товару: 165406
Додати до обраних Обраний товар

datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.