Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RK7002BMT116
RK7002BMT116

RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.62 грн
6000+1.36 грн
9000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RK7002BMT116 за ціною від 1.38 грн до 14.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4747+2.56 грн
252000+2.35 грн
378000+2.18 грн
504000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 4747
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.98 грн
1500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2637+4.62 грн
2718+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 2637
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 92685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2184+5.57 грн
2500+5.41 грн
5000+5.27 грн
10000+4.95 грн
25000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 2184
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.77 грн
53+5.74 грн
100+3.33 грн
500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.21 грн
47+8.16 грн
57+6.65 грн
96+3.96 грн
118+3.23 грн
449+1.97 грн
1232+1.87 грн
1500+1.84 грн
3000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+13.43 грн
113+7.21 грн
215+3.80 грн
500+3.24 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 319308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.72 грн
47+7.18 грн
100+3.34 грн
1000+2.76 грн
3000+1.60 грн
9000+1.45 грн
24000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.65 грн
28+10.17 грн
35+7.98 грн
58+4.75 грн
100+3.87 грн
449+2.37 грн
1232+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.