Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RK7002BMT116
RK7002BMT116

RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
6000+1.45 грн
9000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RK7002BMT116 за ціною від 1.40 грн до 14.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.19 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2443+5.09 грн
2517+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1873+6.64 грн
1936+6.43 грн
2500+6.23 грн
5000+5.85 грн
10000+5.29 грн
25000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 1873
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
63+6.47 грн
74+5.50 грн
104+3.91 грн
120+3.37 грн
500+2.37 грн
1000+2.03 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
38+8.06 грн
45+6.60 грн
62+4.70 грн
100+4.05 грн
500+2.84 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 231688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.50 грн
58+6.16 грн
100+3.42 грн
1000+3.03 грн
3000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.60 грн
53+6.15 грн
100+3.56 грн
500+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1397+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 1397
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+14.37 грн
113+7.72 грн
215+4.07 грн
500+3.47 грн
1500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Виробник : Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.