RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.61 грн |
| 6000+ | 1.35 грн |
| 9000+ | 1.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RK7002BMT116 за ціною від 2.36 грн до 14.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 80614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 593 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 148463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 214039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RK7002BMT116 | Виробник : Rohm |
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |