Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RK7002BMT116
RK7002BMT116

RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.60 грн
6000+1.34 грн
9000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RK7002BMT116 за ціною від 2.07 грн до 14.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4361+3.25 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 4361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 74359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.66 грн
2578+5.50 грн
5000+5.35 грн
10000+5.03 грн
25000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2052+6.91 грн
2500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 2052 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1959+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 1959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
147+5.49 грн
500+3.72 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
60+6.98 грн
86+4.85 грн
101+4.13 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
53+5.68 грн
100+3.29 грн
500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 206995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
39+8.26 грн
100+4.49 грн
500+3.24 грн
1000+2.83 грн
3000+2.35 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.09 грн
91+8.86 грн
147+5.49 грн
500+3.72 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 rk7002bmt116-e.pdf
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4361+3.25 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 4361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 rk7002bmt116-e.pdf
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 74359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2505+5.66 грн
2578+5.50 грн
5000+5.35 грн
10000+5.03 грн
25000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 rk7002bmt116-e.pdf
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2052+6.91 грн
2500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 2052 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 rk7002bmt116-e.pdf
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1959+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 1959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 rk7002bmt116-e.pdf
RK7002BMT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.86 грн
147+5.49 грн
500+3.72 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RK7002BMT116
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.84 грн
60+6.98 грн
86+4.85 грн
101+4.13 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
53+5.68 грн
100+3.29 грн
500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RK7002BMT116
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 206995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.85 грн
39+8.26 грн
100+4.49 грн
500+3.24 грн
1000+2.83 грн
3000+2.35 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 rk7002bmt116-e.pdf
RK7002BMT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+14.09 грн
91+8.86 грн
147+5.49 грн
500+3.72 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.