на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2660+ | 4.64 грн |
| 3106+ | 3.98 грн |
| 3276+ | 3.77 грн |
| 6000+ | 3.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RK7002BT116 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RK7002BT116 за ціною від 10.32 грн до 17.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RK7002BT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| RK7002BT116 | Виробник : ROHM |
10+ SOT-23 |
на замовлення 297000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
RK7002BT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |

