Технічний опис RM10A Allegro Microsystems
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції RM10A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RM 10A | Виробник : Sanken Electric Co. |
 Diode 600V 1.2A 2-Pin |
товару немає в наявності |
||
 |
RM10A | Виробник : EIC |
SILICON RECTIFIER DIODES 2D2 |
товару немає в наявності |
|
| RM 10A | Виробник : Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.2A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |