
RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.34 грн |
10+ | 57.90 грн |
100+ | 35.08 грн |
500+ | 30.46 грн |
1000+ | 25.98 грн |
3000+ | 25.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: TO-269AA (MBS), Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 500 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RMB2S-E3/80 за ціною від 28.60 грн до 106.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TO-269AA (MBS) Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 500 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
RMB2S-E3/80 |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
RMB2S-E3/80 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 0.5A; Ifsm: 30A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 30A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.25V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TO-269AA (MBS) Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 500 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
RMB2S-E3/80 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 0.5A; Ifsm: 30A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 30A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.25V Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |