RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.44 грн |
| 10+ | 59.55 грн |
| 100+ | 39.49 грн |
| 500+ | 28.98 грн |
| 1000+ | 26.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: TO-269AA (MBS), Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 500 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RMB2S-E3/80 за ціною від 24.37 грн до 117.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RMB2S-E3/80 |
|
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| RMB2S-E3/80 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 0.5A; Ifsm: 30A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 30A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.25V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RMB2S-E3/80 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: TO-269AA (MBS) Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 500 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| RMB2S-E3/80 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 0.5A; Ifsm: 30A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 30A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.25V Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |