RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 228.56 грн |
| 2000+ | 217.75 грн |
| 3000+ | 209.26 грн |
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Технічний опис RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RMLV0408EGSB-4S2#HA1 за ціною від 307.76 грн до 1230.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Part Status: Active Supplier Device Package: 32-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) DigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.76 грн |
| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1160.14 грн |
| 25+ | 1113.37 грн |
| 50+ | 996.51 грн |
| 100+ | 896.65 грн |
| 250+ | 855.16 грн |
| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1230.70 грн |
| 10+ | 1160.14 грн |
| 25+ | 1113.37 грн |
| 50+ | 996.51 грн |
| 100+ | 896.65 грн |
| 250+ | 855.16 грн |