RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America Inc


rmlv0414e-series-datasheet-rev300
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+888.82 грн
10+792.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America Inc

Description: RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Bulk, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 45 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 44-TSOP II.

Інші пропозиції RMLV0414EGSB-4S2#HA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics r10ds0216ej0300_memory.pdf SRAM SRAM SRAM LP(4M) 4M
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 r10ds0216ej0300_memory.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM SRAM LP(4M) 4M
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.