
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics Corporation

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 317.56 грн |
10+ | 277.36 грн |
25+ | 271.36 грн |
40+ | 253.29 грн |
135+ | 227.11 грн |
270+ | 226.28 грн |
540+ | 214.44 грн |
945+ | 203.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMLV0416EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#AA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції RMLV0416EGSB-4S2#AA1 за ціною від 213.57 грн до 355.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 | Виробник : RENESAS |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|