Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RMLV0808BGSB-4S2#AA0
RMLV0808BGSB-4S2#AA0

RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics Corporation

rmlv0808bgsb-4s2-datasheet?r=507266
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 8
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.90 грн
10+393.40 грн
25+385.91 грн
40+359.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit.

Інші пропозиції RMLV0808BGSB-4S2#AA0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics REN_r10ds0232ej0201-memory-a_DST_20200220.pdf SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x8 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 RMLV0808BGSB-4S2#AA0 RENESAS rmlv0808bgsb-4s2-datasheet?r=507266 Description: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 REN_r10ds0232ej0201-memory-a_DST_20200220.pdf
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x8 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 rmlv0808bgsb-4s2-datasheet?r=507266
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.