RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RMLV0816BGSB-4S2#AA0 за ціною від 372.11 грн до 579.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics |
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RMLV0816BGSB-4S2#AA0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 579.63 грн |
| 10+ | 495.71 грн |
| 25+ | 472.80 грн |
| 40+ | 433.06 грн |
| 135+ | 406.59 грн |
| 270+ | 392.21 грн |
| 540+ | 372.11 грн |
| RMLV0816BGSB-4S2#AA0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




