RMLV0816BGSB-4S2#AA0

RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics Corporation


rmlv0816bgsb-4s2-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.83 грн
10+507.85 грн
25+484.38 грн
40+443.67 грн
135+416.55 грн
270+401.82 грн
540+381.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RMLV0816BGSB-4S2#AA0 за ціною від 468.23 грн до 780.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Виробник : RENESAS RNCC-S-A0012509227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+624.06 грн
10+623.23 грн
25+610.06 грн
50+555.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Виробник : Renesas Electronics REN_r10ds0231ej0201_memory_a_DST_20200220-1999428.pdf SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.02 грн
10+635.53 грн
100+518.87 грн
270+499.79 грн
540+468.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Виробник : RENESAS rmlv0816bgsb-4s2-datasheet RMLV0816BGSB4S2AA Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.