RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 587.16 грн |
| 10+ | 502.14 грн |
| 25+ | 478.94 грн |
| 40+ | 438.68 грн |
| 135+ | 411.87 грн |
| 270+ | 397.30 грн |
| 540+ | 376.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RMLV0816BGSB-4S2#AA0 за ціною від 496.35 грн до 758.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : Renesas Electronics |
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : RENESAS |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 45s Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : RENESAS |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 45s Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |