
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RENESAS

Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 559.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RMLV0816BGSB-4S2#AA0 за ціною від 391.98 грн до 610.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : RENESAS |
![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 45s Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Виробник : RENESAS |
![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 45s Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |