Продукція > RENESAS ELECTRONICS > RMLV0816BGSD-4S2#AA1
RMLV0816BGSD-4S2#AA1

RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Renesas Electronics


REN_r10ds0253ej0201-memory-a_DST_20200220.pdf Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40TO85C
на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.18 грн
10+430.61 грн
25+362.93 грн
50+354.49 грн
100+345.29 грн
230+323.03 грн
460+313.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Renesas Electronics

Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 52-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції RMLV0816BGSD-4S2#AA1 за ціною від 345.65 грн до 479.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Виробник : Renesas Electronics Corporation rmlv0816bgsd-4s2-datasheet Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.75 грн
10+421.54 грн
25+413.45 грн
40+385.21 грн
80+345.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.