RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Renesas Electronics Corporation


rmlv0816bgsd-4s2-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.90 грн
10+393.55 грн
25+386.00 грн
40+359.63 грн
80+322.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Renesas Electronics Corporation

Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II, Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16, Access Time: 45 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Supplier Device Package: 52-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 8Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width).

Інші пропозиції RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Renesas Electronics REN_r10ds0253ej0201-memory-a_DST_20200220.pdf SRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40TO85C
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 REN_r10ds0253ej0201-memory-a_DST_20200220.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40TO85C
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.