Продукція > RENESAS ELECTRONICS AMERICA > RMLV0816BGSD-4S2#AC0
RMLV0816BGSD-4S2#AC0

RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics America

r10ds0253ej0200_memory.pdf
Виробник: Renesas Electronics America
Description: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics America

Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 135 шт.

Інші пропозиції RMLV0816BGSD-4S2#AC0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Alliance Memory r10ds0253ej0200_renesas.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 135 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics r10ds0253ej0200_memory-1092915.pdf SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 r10ds0253ej0200_renesas.pdf
Виробник: Alliance Memory
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 135 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 r10ds0253ej0200_memory-1092915.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.