Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1102,LXHF(CT
RN1102,LXHF(CT

RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.10 грн
6000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Qualification: AEC-Q101, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1102,LXHF(CT за ціною від 4.40 грн до 23.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1102,LXHF(CT RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.09 грн
20+15.34 грн
100+7.75 грн
500+5.94 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT RN1102,LXHF(CT Toshiba D5B52EBCB7BAA79408035BADE158058D82478E993DA572B0B48C39DC00EC8728.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT
RN1102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.09 грн
20+15.34 грн
100+7.75 грн
500+5.94 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT D5B52EBCB7BAA79408035BADE158058D82478E993DA572B0B48C39DC00EC8728.pdf
RN1102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.