Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1112ACT(TPL3)
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112%2C13ACT.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
23+13.41 грн
100+8.36 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.57 грн
5000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3, Part Status: Active, Supplier Device Package: CST3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-101, SOT-883, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA.

Інші пропозиції RN1112ACT(TPL3)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.