Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN1116(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4516576-3
Price: 326.09999999999997 UAH
Availability: InStock

RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	21.74 грн
18+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1116(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN1116(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.