Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1310,LF
RN1310,LF

RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage

datasheet_en_20231102.pdf?did=18781 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
45+6.80 грн
100+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції RN1310,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1310,LF RN1310,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231102.pdf?did=18781 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310,LF RN1310,LF Виробник : Toshiba RN1310_datasheet_en_20231102-1760603.pdf Digital Transistors 4.7kohm 50V 0.1A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.